플래시메모리 [flash memory]
전원이 끊겨도 저장된 정보가 지워지지 않는 기억장치.
소비전력이 작고, 전원이 꺼지더라도 저장된 정보가 사라지지 않은 채 유지되는 특성을 지닌다. 곧 계속해서 전원이 공급되는 비휘발성 메모리로, 디램과 달리 전원이 끊기더라도 저장된 정보를 그대로 보존할 수 있을 뿐 아니라 정보의 입출력도 자유로워 디지털텔레비전·디지털캠코더·휴대전화·디지털카메라·개인휴대단말기(PDA)·게임기·MP3플레이어 등에 널리 이용된다.
종류는 크게 저장용량이 큰 데이터저장형(NAND)과 처리속도가 빠른 코드저장형(NOR)의 2가지로 분류된다. 전자는 고집적이 가능하고 핸드디스크를 대체할 수 있어 고집적 음성이나 화상 등의 저장용으로 많이 쓰이는데, 2003년 2월 현재 한국의 삼성전자(주)가 세계 시장의 60％를 점유하고 있다. 코드저장형은 2002년 기준으로 전체 플래시메모리 시장의 80％를 차지하고 있는 메모리로, 인텔·AMD 등이 시장을 주도하고 있으며, 한국에서도 2003년 1월 128메가의 코드저장형 플래시 메모리 제품을 개발하였다.
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DRAM [dynamic random access memory]
디램은 전원이 차단될 경우 저장되어 있는 자료가 소멸되는 특정이 있는 휘발성 기억소자이며, 시간이 지나가면 저장된 자료가 자연히 소멸되는 단점이 있다. 그러나 전력소모가 적고, 가격이 낮으며 집적도가 매우 높아 대용량 기억장치에 많이 사용된다.디램은 우리나라 반도체 산업의 주류를 이루고 있는 것으로 반도체 사업 중에서 비중이 매우 큰 제품이다.
동속호출기억장치 또는 임의접근기억장치라고도 한다. 컴퓨터의 기억장치로 많이 사용되는 메모리 반도체에는 랜덤 액세스 기억장치인 램(RAM)과 판독 전용 기억장치인 롬(ROM)이 있고, 램에는 일반적으로 동적 램인 디램과 정적 램인 에스램(static random access memory:SRAM)이 있다. 디램은 반도체 산업 중에서 비중이 매우 큰 제품이며, 특히 우리나라 반도체 산업의 주류를 이루고 있다.
에스램은 값이 비싼 반면 디램이 가지지 못한 장점을 가지고 있고 처리속도도 빠르게 동작되는 특성을 나타내기 때문에, 빠른 처리속도가 필요한 소규모 외부 캐시(cache) 기억장치에 사용하고 있으며, 디램은 캐시 기억장치에 비해 다소 속도가 떨어져도 무방한 일반적인 기억장치에 사용된다.
디램은 전원이 차단될 경우 저장되어 있는 자료가 소멸되는 특성이 있는 휘발성 기억소자이며, 시간이 지나가면 축적된 전하가 감소되기 때문에 전원이 차단되지 않더라도 저장된 자료가 자연히 소멸되는 단점이 있다. 따라서 일정 시간마다 기억된 자료를 유지하기 위하여 리프레시(refresh)가 필요하며, 이를 위한 제어회로가 시스템측에 탑재되어야 한다. 반면에 전력 소모가 적고, 가격이 낮으며 집적도가 매우 높아 대용량 기억장치에 많이 사용된다.
고집적회로의 기술진보로 디램은 대략 3년마다 4배 정도의 집적도가 높아지고 있어, 1986년에는 1MB 디램이 실용화되더니 12년이 지난 1998년에는 64MB가 주류를 이루고, 1999년 현재에는 256MB 디램도 실용화되기 시작하고 있다.
전원이 끊겨도 저장된 정보가 지워지지 않는 기억장치.
소비전력이 작고, 전원이 꺼지더라도 저장된 정보가 사라지지 않은 채 유지되는 특성을 지닌다. 곧 계속해서 전원이 공급되는 비휘발성 메모리로, 디램과 달리 전원이 끊기더라도 저장된 정보를 그대로 보존할 수 있을 뿐 아니라 정보의 입출력도 자유로워 디지털텔레비전·디지털캠코더·휴대전화·디지털카메라·개인휴대단말기(PDA)·게임기·MP3플레이어 등에 널리 이용된다.
종류는 크게 저장용량이 큰 데이터저장형(NAND)과 처리속도가 빠른 코드저장형(NOR)의 2가지로 분류된다. 전자는 고집적이 가능하고 핸드디스크를 대체할 수 있어 고집적 음성이나 화상 등의 저장용으로 많이 쓰이는데, 2003년 2월 현재 한국의 삼성전자(주)가 세계 시장의 60％를 점유하고 있다. 코드저장형은 2002년 기준으로 전체 플래시메모리 시장의 80％를 차지하고 있는 메모리로, 인텔·AMD 등이 시장을 주도하고 있으며, 한국에서도 2003년 1월 128메가의 코드저장형 플래시 메모리 제품을 개발하였다.
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DRAM [dynamic random access memory]
디램은 전원이 차단될 경우 저장되어 있는 자료가 소멸되는 특정이 있는 휘발성 기억소자이며, 시간이 지나가면 저장된 자료가 자연히 소멸되는 단점이 있다. 그러나 전력소모가 적고, 가격이 낮으며 집적도가 매우 높아 대용량 기억장치에 많이 사용된다.디램은 우리나라 반도체 산업의 주류를 이루고 있는 것으로 반도체 사업 중에서 비중이 매우 큰 제품이다.
동속호출기억장치 또는 임의접근기억장치라고도 한다. 컴퓨터의 기억장치로 많이 사용되는 메모리 반도체에는 랜덤 액세스 기억장치인 램(RAM)과 판독 전용 기억장치인 롬(ROM)이 있고, 램에는 일반적으로 동적 램인 디램과 정적 램인 에스램(static random access memory:SRAM)이 있다. 디램은 반도체 산업 중에서 비중이 매우 큰 제품이며, 특히 우리나라 반도체 산업의 주류를 이루고 있다.
에스램은 값이 비싼 반면 디램이 가지지 못한 장점을 가지고 있고 처리속도도 빠르게 동작되는 특성을 나타내기 때문에, 빠른 처리속도가 필요한 소규모 외부 캐시(cache) 기억장치에 사용하고 있으며, 디램은 캐시 기억장치에 비해 다소 속도가 떨어져도 무방한 일반적인 기억장치에 사용된다.
디램은 전원이 차단될 경우 저장되어 있는 자료가 소멸되는 특성이 있는 휘발성 기억소자이며, 시간이 지나가면 축적된 전하가 감소되기 때문에 전원이 차단되지 않더라도 저장된 자료가 자연히 소멸되는 단점이 있다. 따라서 일정 시간마다 기억된 자료를 유지하기 위하여 리프레시(refresh)가 필요하며, 이를 위한 제어회로가 시스템측에 탑재되어야 한다. 반면에 전력 소모가 적고, 가격이 낮으며 집적도가 매우 높아 대용량 기억장치에 많이 사용된다.
고집적회로의 기술진보로 디램은 대략 3년마다 4배 정도의 집적도가 높아지고 있어, 1986년에는 1MB 디램이 실용화되더니 12년이 지난 1998년에는 64MB가 주류를 이루고, 1999년 현재에는 256MB 디램도 실용화되기 시작하고 있다.
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